21.03.2022

Сергей Викторович Иванов (род. 24 июня 1960, Ленинград, СССР) — советский и российский учёный-физик, нанотехнолог, специалист в области полупроводниковых гетероструктур, низкоразмерных систем и молекулярно-пучковой эпитаксии. Доктор физико-математических наук, профессор. Директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге.

Становление, карьера

Родился в 1960 году.

Обучался в физико-математической школе № 239 гор. Ленинграда (выпуск 1977 г.). В 1983 году с отличием окончил Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) по кафедре оптоэлектроники, базовой для ФТИ.

Вся дальнейшая научная биография Иванова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ) им. А. Ф. Иоффе, где он прошёл путь от стажера-исследователя до заведующего лабораторией квантово-размерных гетероструктур и группой молекулярно-пучковой эпитаксии. Там же, в ФТИ, защитил кандидатскую (1989) и докторскую (2000) диссертации.

Как эксперт многократно приглашался с визитами в университеты и научные центры Германии (суммарно провёл там 1 год), Японии (суммарно 2 мес) и других стран.

С октября 2018 года исполнял обязанности директора ФТИ. В мае 2019 года коллектив института избрал его на пост директора; после урегулирования формальностей, 6 августа 2019 года официально вступил в должность.

Научная деятельность

Иванов известен как специалист в сфере технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и физики полупроводниковых гетероструктур (материалы АIIIВV, АIIВVI, АIII-нитриды).

Среди важнейших научных результатов, полученных при его участии:

  • разработка новых эпитаксиальных технологий наногетероструктур АIIIВV и широкозонных соединений АIIВVI, структур с квантовыми точками (КТ) СdSe и магнитными полупроводниками;
  • создание прототипов приборных структур: сверхнизкопороговых лазерных диодов с раздельным ограничением в системе AlGaAs, лазеров с КТ InSb и фотоприёмников среднего ИК диапазона в системе AlGaSbAs/InAsSb, светодиодов и лазеров среднего УФ диапазона на основе AlGaN, высокоэффективных сине-зелёных лазеров с электронно-лучевой накачкой и лазерных конвертеров на базе наноструктур СdSe/ZnSe, НЕМТ-транзисторов с каналом InAs;
  • реализация оригинальной концепции интеграции нанослоёв соединений АIIIВV и АIIВVI, позволяющей расширить возможности конструирования опто-, микро- и спинэлектронных приборов нового поколения.

Соавтор свыше 800 опубликованных научных работ, в том числе 10 глав в монографиях и 6 патентов. Суммарно его работы были процитированы свыше 10000 раз, индекс Хирша — 38 (данные РИНЦ на октябрь 2020 года). Выступал на российских и международных конференциях, сделал около 40 приглашённых докладов.

Исследовательская деятельность учёного отмечена присуждением ряда премий в его институте, благодарностью президента РАН.

Лауреат премии Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2020 году: в номинации нанотехнологии — премия им. Ж. И. Алфёрова (Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 21.12.2020 № 1115). За цикл приоритетных исследований физико-химических аспектов процесса молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых соединений A3B5 и A2B6, приведшей к созданию эффективных квантоворазмерных наногетероструктур для элементной базы полупроводниковой оптоэлектроники и квантовой фотоники широкого спектрального диапазона.

Преподавание, оргработа

Как учёный-наставник Иванов подготовил 6 кандидатов физико-математических наук.

По совместительству, с 2004 года преподаёт в двух вузах Санкт-Петербурга: читает курс по молекулярно-лучевой эпитаксии студентам Академического университета (СПбАУ), основанного Ж. И. Алфёровым, и своей альма-матер. Профессор.

Является членом диссоветов ФТИ и СПбГЭТУ «ЛЭТИ», входит в программные и координационные комитеты регулярных международных конференций по физике и технологии полупроводников, эксперт РФФИ и РНФ, член редколлегии журнала “Superlattices and Microstructures”.


Имя:*
E-Mail:
Комментарий: