Изображение строения материала, возможность проникновения в который лежит ниже светомикроскопической, так называемое особое изображение дефектов кристаллического строения, требует применения излучения с меньшей длиной волны. Благодаря этому отображаются детали, размеры которых меньше 150 нм, поэтому способ называется электронной металлографией. Под этим понимается использование растровых электронных микроскопов и электронных микроскопов проходящего света (на просвет) для металлографических исследований.
Растровый микроскоп используется в основном как световой микроскоп для исследований поверхностей. Разрешение растрового электронного микроскопа на два порядка больше, чем у светооптического. Разрешения на 1—3 порядка более высокого, чем у светооптического микроскопа, можно достигнуть с помощью электронного микроскопа проходящего света. Вследствие этого предлагается особый электронный микроскоп проходящего света для того чтобы исследовать кристаллическое строение и строение дефектов в кристалл ческой решетке.
Электронно-микроскопические исследования (просвечивающий микроскоп)

Принимая во внимание ход лучей, просвечивающий электронный микроскоп построен аналогично светооптическому (рис. 4.1.9). Это означает, что пробы, доступные просвечиванию, должны или изготовляться очень тонкими, или изучаться по лаковому слепку с поверхности. Излучение изменяется для достижения необходимой контрастности. С помощью слепковой техники можно получить четкий слепок с рельефа поверхности образца, что открывает доступ к деталям структуры материала.
Для достижения необходимого контрастного эффекта с помощью специальных препаратов получена основная модификация интенсивности распределения выходящих электронов вследствие изменения массы и благодаря дифракции (рефлексии). При применении монохроматического электронного излучения можно получить с помощью дифракции электронов на кристаллических плоскостях картины малоуглового рассеяния, что дает возможность определить тип кристаллической решетки.

Имя:*
E-Mail:
Комментарий: