» » Марганец-серебро
05.02.2015

На рис. 97 приведена диаграмма, построенная Раубом и Энгелем, которые провели детальное исследование с использованием термического, микроскопического и ренnгеноструктурного анализов, а также измерений электрического сопротивления.
В жидком состоянии имеется область несмешивающихся расплавов между 4,2 и 49,7 (атомн.) Ag и монотектическая горизонталь при 1185°.
Серебро имеет заметную растворимость в марганце в твердом состоянии, которая меняется с температурой от 47,2% (атомн.) Mn при перитектической температуре 987° до 14% (атомн.) при 300°. Следовательно, сплавы этой области имеют склонность к дисперсионному твердению. Эти сплавы также обладают отрицательным температурным коэффициентом электрического удельного сопротивления, что изучалось Шульце.
Температурный интервал устойчивости γ-твердых растворов марганца увеличивается при добавлении серебра; серебро имеет максимальную растворимость в γ-марганце, равную 3,4% (атомн.) при монотектической горизонтали 1185°.
Марганец-серебро

Серебро обладает весьма небольшой растворимостью (порядка 0,5%) в β-марганце и не растворяется в α-марганце.
Рауб и Энгель приводят данные о параметрах решетки твердых растворов, богатых серебром и марганцем.
Электрические свойства слаболегированных марганцем сплавов серебра обнаруживают некоторые интересные аномалии при низких температурах; это изучали Герритсен и Линде. Производились измерения в температурном интервале 0—20° К на чистых сплавах, содержащих не больше 20% (атомн.) Mn. Найдено, что сопротивление не остается постоянным при очень низких температурах, как это следовало бы по правилу Мориссена, но оно круто снижается при температурах ниже 4° К. Температурный порог этого резкого снижения и зависимости «сопротивление — температура» изменяются в зависимости от концентрации марганца.
Герритсен и Линде полагают, что уменьшение сопротивления связано с уменьшением рассеивания проводящих электронов на 3d-оболочках атомов марганца и что температура, при которой наблюдается уменьшение сопротивления, соответствует разнице энергии на 3d-оболочке и уровне Ферми для металла. Приложение магнитного пола оказывает большое влияние на процесс рассеивания, что может считаться экспериментальным доказательством справедливости гипотезы Герритсена и Линде.